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GermanyIRF9Z24NSTRLPBF
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRF9Z24NSTRLPBF
Explicación
MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK
Descripción detallada
P-Channel 55 V 12A (Tc) 3.8W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount D2PAK
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
IRF9Z24NSTRLPBF Models
Embalaje estándar
800
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
175mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
350 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.8W (Ta), 45W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
D2PAK
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Product Number
IRF9Z24
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
IRF9Z24NSTRLPBF-ND
IRF9Z24NSTRLPBFTR
IRF9Z24NSTRLPBFCT
IRF9Z24NSTRLPBFDKR
2156-IRF9Z24NSTRLPBF
SP001554552
INFINFIRF9Z24NSTRLPBF
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRF9Z24NSTRLPBF
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IRF9Z24NSPbF, NLPBF)
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Cantidad y precio
-
Alternativas
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