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GermanyIPD50R399CPATMA1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IPD50R399CPATMA1
Explicación
LOW POWER_LEGACY
Descripción detallada
N-Channel 500 V 9A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
20 Weeks
Modelo edacad
Embalaje estándar
2,500
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™ CP
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
399mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 330µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
890 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
83W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TO252-3-313
Package / Case
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Base Product Number
IPD50R
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
448-IPD50R399CPATMA1TR
2156-IPD50R399CPATMA1TR
SP001117700
IPD50R399CPATMA1-ND
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPD50R399CPATMA1
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IPD50R399CP)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
HTML Datasheet
1(IPD50R399CP)
Simulation Models
1(CoolMOS™ Power MOSFET 500V C3 Spice Model)
Cantidad y precio
Cantidad: 5000
Precio unitario: $0.86294
Embalaje: Tape & Reel (TR)
Multiplicador mínimo: 2500
Embalaje: Tape & Reel (TR)
Multiplicador mínimo: 2500
Cantidad: 2500
Precio unitario: $0.89665
Embalaje: Tape & Reel (TR)
Multiplicador mínimo: 2500
Embalaje: Tape & Reel (TR)
Multiplicador mínimo: 2500
Alternativas
-