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GermanyFQAF33N10
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
FQAF33N10
Explicación
MOSFET N-CH 100V 25.8A TO3PF
Descripción detallada
N-Channel 100 V 25.8A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-3PF
Fabricación
onsemi
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
FQAF33N10 Models
Embalaje estándar
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
onsemi
Series
QFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
25.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
52mOhm @ 12.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
83W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-3PF
Package / Case
TO-3P-3 Full Pack
Base Product Number
FQAF3
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi FQAF33N10
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(FQAF33N10)
Environmental Information
1(onsemi RoHS)
HTML Datasheet
1(FQAF33N10)
EDA Models
1(FQAF33N10 Models)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : IRFP140NPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 1,651
Precio unitario : $2.07000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 1,651
Precio unitario : $2.07000
Tipo de reemplazo : Similar