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GermanyIRLR7821TRPBF
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRLR7821TRPBF
Explicación
MOSFET N-CH 30V 65A DPAK
Descripción detallada
N-Channel 30 V 65A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
2,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1030 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
75W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-252AA (DPAK)
Package / Case
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
IRLR7821PBFDKR
IRLR7821PBFTR
IRLR7821PBFCT
SP001553230
*IRLR7821TRPBF
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRLR7821TRPBF
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IRLR7821PbF, IRLU7821PbF)
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Cantidad y precio
-
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