Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
IXFH80N20Q
Explicación
MOSFET N-CH 200V 80A TO247AD
Descripción detallada
N-Channel 200 V 80A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Fabricación
IXYS
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
30
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
IXYS
Series
HiPerFET™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
28mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4600 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
360W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247AD (IXFH)
Package / Case
TO-247-3
Base Product Number
IXFH80

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

-

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXFH80N20Q

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(IXF(H,K,T)80N20Q)
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Mosfet EOL 22/Mar/2017)
HTML Datasheet
1(IXF(H,K,T)80N20Q)

Cantidad y precio

-

Alternativas

Modelo de producto : IXFH80N25X3
Fabricante : IXYS
Cantidad disponible : 21
Precio unitario : $11.45000
Tipo de reemplazo : Direct
Modelo de producto : IRFP4227PBF
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 3,633
Precio unitario : $4.42000
Tipo de reemplazo : Similar
Modelo de producto : STW75NF20
Fabricante : STMicroelectronics
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $4.78000
Tipo de reemplazo : Similar