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GermanyIRFBF30STRR
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRFBF30STRR
Explicación
MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
Descripción detallada
N-Channel 900 V 3.6A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Fabricación
Vishay Siliconix
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Vishay Siliconix
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
900 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.7Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1200 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
125W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-263 (D2PAK)
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Product Number
IRFBF30
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix IRFBF30STRR
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(SiHFBF30S)
HTML Datasheet
1(SiHFBF30S)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : IRFBF30STRLPBF
Fabricante : Vishay Siliconix
Cantidad disponible : 911
Precio unitario : $3.44000
Tipo de reemplazo : Parametric Equivalent
Cantidad disponible : 911
Precio unitario : $3.44000
Tipo de reemplazo : Parametric Equivalent
Modelo de producto : IRF540NSTRLPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 18,953
Precio unitario : $1.50000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 18,953
Precio unitario : $1.50000
Tipo de reemplazo : Similar