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Germany2SD11990S
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
2SD11990S
Explicación
TRANS NPN 40V 0.05A M TYPE
Descripción detallada
Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 50 mA 120MHz 400 mW Through Hole M-A1
Fabricación
Panasonic Electronic Components
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Panasonic Electronic Components
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
40 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
200mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
600 @ 2mA, 10V
Power - Max
400 mW
Frequency - Transition
120MHz
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
3-SIP
Supplier Device Package
M-A1
Base Product Number
2SD119
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/Panasonic Electronic Components 2SD11990S
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(2SD1199 Datasheet)
Featured Product
1(Wearables Technology Components)
HTML Datasheet
1(2SD1199 Datasheet)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-