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GermanyRJK60S5DPE-00#J3
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
RJK60S5DPE-00#J3
Explicación
MOSFET N-CH 600V 20A 4LDPAK
Descripción detallada
N-Channel 600 V 20A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount LDPAK
Fabricación
Renesas Electronics Corporation
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
19
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Renesas Electronics Corporation
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
178mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1600 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
125W (Tc)
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
LDPAK
Package / Case
SC-83
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
2156-RJK60S5DPE-00#J3-RETR
RENRNSRJK60S5DPE-00#J3
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Renesas Electronics Corporation RJK60S5DPE-00#J3
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(RJK60S5DPE-00#J3)
Cantidad y precio
Cantidad: 19
Precio unitario: $16.03
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 19
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 19
Alternativas
-