Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
BCR196E6327
Explicación
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Descripción detallada
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 70 mA 150 MHz 200 mW Surface Mount PG-SOT23-3-11
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
7,397
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Infineon Technologies
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
PNP - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)
70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Resistor - Base (R1)
47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
22 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
Frequency - Transition
150 MHz
Power - Max
200 mW
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
PG-SOT23-3-11
Base Product Number
BCR196

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
Not applicable
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

Otros nombres

2156-BCR196E6327
INFINFBCR196E6327

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors/Infineon Technologies BCR196E6327

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(BCR196WH6327XTSA1)

Cantidad y precio

Cantidad: 7397
Precio unitario: $0.04
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 7397

Alternativas

-