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GermanySIE854DF-T1-GE3
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
SIE854DF-T1-GE3
Explicación
MOSFET N-CH 100V 60A 10POLARPAK
Descripción detallada
N-Channel 100 V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L)
Fabricación
Vishay Siliconix
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
3,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Vishay Siliconix
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14.2mOhm @ 13.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3100 pF @ 50 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
5.2W (Ta), 125W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
10-PolarPAK® (L)
Package / Case
10-PolarPAK® (L)
Base Product Number
SIE854
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
SIE854DF-T1-GE3CT
SIE854DF-T1-GE3DKR
SIE854DFT1GE3
SIE854DF-T1-GE3TR
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SIE854DF-T1-GE3
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(SIE854DF)
PCN Obsolescence/ EOL
1(PCN- SIL-0582013 05/Dec/2013)
HTML Datasheet
1(SIE854DF)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : SIR846ADP-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Cantidad disponible : 3,000
Precio unitario : $2.17000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 3,000
Precio unitario : $2.17000
Tipo de reemplazo : Similar