Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
IRFU1018EPBF
Explicación
MOSFET N-CH 60V 56A IPAK
Descripción detallada
N-Channel 60 V 56A (Tc) 110W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Fabricación
International Rectifier
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
547
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
International Rectifier
Series
HEXFET®
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.4mOhm @ 47A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2290 pF @ 50 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
110W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
IPAK (TO-251AA)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
0000.00.0000

Otros nombres

INFIRFIRFU1018EPBF
2156-IRFU1018EPBF

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/International Rectifier IRFU1018EPBF

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(Datasheet)

Cantidad y precio

Cantidad: 547
Precio unitario: $0.55
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 547

Alternativas

-