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GermanyIRF7811A
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRF7811A
Explicación
MOSFET N-CH 28V 11A 8SO
Descripción detallada
N-Channel 28 V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
95
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
28 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
11A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1760 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
8-SO
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
SP001565580
*IRF7811A
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRF7811A
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IRF7809A/11A)
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Product Training Modules
1(Discrete Power MOSFETs 40V and Below)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IRF7809A/11A)
Cantidad y precio
-
Alternativas
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