English
China
Rusia
Italy
GermanyIPI25N06S3L-22
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IPI25N06S3L-22
Explicación
MOSFET N-CH 55V 25A TO262-3
Descripción detallada
N-Channel 55 V 25A (Tc) 50W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
500
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
21.6mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2260 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
50W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO262-3
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Base Product Number
IPI25N
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
IPI25N06S3L22XK
SP000087996
IPI25N06S3L22X
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPI25N06S3L-22
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IPB(I,P)25N06S3L-22)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IPB(I,P)25N06S3L-22)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : IRFZ44ZLPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 1,002
Precio unitario : $2.18000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 1,002
Precio unitario : $2.18000
Tipo de reemplazo : Similar