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GermanyIRFD213
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRFD213
Explicación
MOSFET N-CH 250V 450MA 4DIP
Descripción detallada
N-Channel 250 V 450mA (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
Fabricación
Harris Corporation
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
468
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Harris Corporation
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
250 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
450mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2Ohm @ 270mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
140 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
4-HVMDIP
Package / Case
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS non-compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
HARHARIRFD213
2156-IRFD213-HC
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Harris Corporation IRFD213
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IRFD213)
Cantidad y precio
Cantidad: 468
Precio unitario: $0.64
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 468
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 468
Alternativas
-