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GermanyFJA3835TU
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
FJA3835TU
Explicación
TRANS NPN 120V 8A TO3P
Descripción detallada
Bipolar (BJT) Transistor NPN 120 V 8 A 30MHz 80 W Through Hole TO-3P
Fabricación
onsemi
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
FJA3835TU Models
Embalaje estándar
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
120 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max)
100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 3A, 4V
Power - Max
80 W
Frequency - Transition
30MHz
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Supplier Device Package
TO-3P
Base Product Number
FJA3835
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/onsemi FJA3835TU
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(FJA3835)
Environmental Information
1(onsemi RoHS)
HTML Datasheet
1(FJA3835)
EDA Models
1(FJA3835TU Models)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-