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GermanyAPT102GA60B2
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
APT102GA60B2
Explicación
IGBT 600V 183A 780W TO247
Descripción detallada
IGBT PT 600 V 183 A 780 W Through Hole
Fabricación
Microchip Technology
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Microchip Technology
Series
POWER MOS 8™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
IGBT Type
PT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
183 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
307 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 62A
Power - Max
780 W
Switching Energy
1.354mJ (on), 1.614mJ (off)
Input Type
Standard
Gate Charge
294 nC
Td (on/off) @ 25°C
28ns/212ns
Test Condition
400V, 62A, 4.7Ohm, 15V
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-247-3 Variant
Base Product Number
APT102
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/Single IGBTs/Microchip Technology APT102GA60B2
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(APT102GA60(B2,L))
Environmental Information
()
HTML Datasheet
1(APT102GA60(B2,L))
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : IXXX100N60C3H1
Fabricante : IXYS
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $18.32530
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $18.32530
Tipo de reemplazo : Similar