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GermanyIRF8910GPBF
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRF8910GPBF
Explicación
MOSFET 2N-CH 20V 10A 8SO
Descripción detallada
Mosfet Array 20V 10A 2W Surface Mount 8-SO
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
95
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
FET Feature
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.55V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
960pF @ 10V
Power - Max
2W
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SO
Base Product Number
IRF89
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays/Infineon Technologies IRF8910GPBF
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IRF8910GPBF)
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1(IR Part Numbering System)
Product Training Modules
()
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IRF8910GPBF)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : AO4806
Fabricante : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $0.34742
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