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GermanyRJK60S5DPP-E0#T2
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
RJK60S5DPP-E0#T2
Explicación
MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP
Descripción detallada
N-Channel 600 V 20A (Tc) 33.7W (Tc) Through Hole TO-220FP
Fabricación
Renesas Electronics Corporation
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
19
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Renesas Electronics Corporation
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
178mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1600 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
33.7W (Tc)
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220FP
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
2156-RJK60S5DPP-E0#T2-RE
RENRNSRJK60S5DPP-E0#T2
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Renesas Electronics Corporation RJK60S5DPP-E0#T2
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(RJK60S5DPP-E0#T2)
Cantidad y precio
Cantidad: 19
Precio unitario: $16.03
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 19
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 19
Alternativas
-