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GermanyIXXH40N65C4D1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IXXH40N65C4D1
Explicación
DISC IGBT XPT-GENX4 TO-247AD
Descripción detallada
IGBT PT 650 V 110 A 455 W Through Hole TO-247 (IXTH)
Fabricación
IXYS
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
30
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
IXYS
Series
XPT™, GenX4™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
IGBT Type
PT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V
Current - Collector (Ic) (Max)
110 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
215 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.3V @ 15V, 40A
Power - Max
455 W
Switching Energy
1.6mJ (on), 420µJ (off)
Input Type
Standard
Gate Charge
68 nC
Td (on/off) @ 25°C
20ns/100ns
Test Condition
400V, 40A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)
62 ns
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
TO-247 (IXTH)
Base Product Number
IXXH40
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/Single IGBTs/IXYS IXXH40N65C4D1
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IXXH40N65C4D1)
Environmental Information
1(Ixys IC REACH)
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Dev obs 15/Feb/2023)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-