Última actualización
20251229
Idiomas
España
English
China
Rusia
Italy
Germany
Información de la industria
Consulta de inventario
MJE181
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
MJE181
Explicación
TRANS NPN 60V 3A TO126
Descripción detallada
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 3 A 50MHz 12.5 W Through Hole TO-126
Fabricación
onsemi
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
MJE181 Models
Embalaje estándar
500
Inventario de proveedores
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Atributos del producto
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 100mA, 1V
Power - Max
12.5 W
Frequency - Transition
50MHz
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-225AA, TO-126-3
Supplier Device Package
TO-126
Base Product Number
MJE181
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/onsemi MJE181
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(MJE170, 71, 72, 80, 81, 82)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Multiple Devices 06/Oct/2006)
HTML Datasheet
1(MJE170, 71, 72, 80, 81, 82)
EDA Models
1(MJE181 Models)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : MJE181G
Fabricante : onsemi
Cantidad disponible : 417
Precio unitario : $0.77000
Tipo de reemplazo : Direct
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