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GermanyMPSH10
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
MPSH10
Explicación
RF TRANS NPN 25V 650MHZ
Descripción detallada
RF Transistor NPN 25V 650MHz 350mW Through Hole
Fabricación
NTE Electronics, Inc
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
NTE Electronics, Inc
Series
-
Package
Bag
Product Status
Active
Transistor Type
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
25V
Frequency - Transition
650MHz
Noise Figure (dB Typ @ f)
-
Gain
-
Power - Max
350mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 4mA, 10V
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS non-compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Bipolar RF Transistors/NTE Electronics, Inc MPSH10
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(MPSH10 Datasheet)
Environmental Information
()
HTML Datasheet
1(MPSH10 Datasheet)
Cantidad y precio
Cantidad: 250
Precio unitario: $0.141
Embalaje: Bag
Multiplicador mínimo: 50
Embalaje: Bag
Multiplicador mínimo: 50
Cantidad: 200
Precio unitario: $0.144
Embalaje: Bag
Multiplicador mínimo: 50
Embalaje: Bag
Multiplicador mínimo: 50
Cantidad: 150
Precio unitario: $0.153
Embalaje: Bag
Multiplicador mínimo: 50
Embalaje: Bag
Multiplicador mínimo: 50
Cantidad: 100
Precio unitario: $0.161
Embalaje: Bag
Multiplicador mínimo: 50
Embalaje: Bag
Multiplicador mínimo: 50
Cantidad: 50
Precio unitario: $0.17
Embalaje: Bag
Multiplicador mínimo: 50
Embalaje: Bag
Multiplicador mínimo: 50
Alternativas
-