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GermanyIPP50N10S3L16AKSA1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IPP50N10S3L16AKSA1
Explicación
MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3
Descripción detallada
N-Channel 100 V 50A (Tc) 100W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
500
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 60µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4180 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
100W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO220-3-1
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
IPP50N
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
IFEINFIPP50N10S3L16AKSA1
2156-IPP50N10S3L16AKSA1
IPP50N10S3L16
IPP50N10S3L-16
SP000407118
IPP50N10S3L-16-ND
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPP50N10S3L16AKSA1
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IPx50N10S3L-16)
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Featured Product
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PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Dev EOL 9/Sep/2019)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : IPP70N10S3L12AKSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 401
Precio unitario : $2.85000
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Fabricante : onsemi
Cantidad disponible : 623
Precio unitario : $2.54000
Tipo de reemplazo : Similar
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Modelo de producto : STP80NF10
Fabricante : STMicroelectronics
Cantidad disponible : 453
Precio unitario : $3.49000
Tipo de reemplazo : Similar
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