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GermanySTW11NB80
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
STW11NB80
Explicación
MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3
Descripción detallada
N-Channel 800 V 11A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247-3
Fabricación
STMicroelectronics
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
30
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
STMicroelectronics
Series
PowerMESH™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
800 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
800mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2900 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
190W (Tc)
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247-3
Package / Case
TO-247-3
Base Product Number
STW11N
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/STMicroelectronics STW11NB80
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(STW11NB80)
HTML Datasheet
1(STW11NB80)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : IXFR20N80P
Fabricante : IXYS
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $8.08830
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $8.08830
Tipo de reemplazo : Similar
Modelo de producto : SPW11N80C3FKSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 1,440
Precio unitario : $3.43000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 1,440
Precio unitario : $3.43000
Tipo de reemplazo : Similar