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GermanyIRF7450TRPBF
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRF7450TRPBF
Explicación
MOSFET N-CH 200V 2.5A 8SO
Descripción detallada
N-Channel 200 V 2.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
4,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
170mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
940 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
8-SO
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
2156-IRF7450TRPBFTR
IRF7450PBFTR
IRF7450PBFDKR
SP001566278
IRF7450PBFCT
*IRF7450TRPBF
IRF7450TRPBF-ND
IRF7450TRPBFTR-ND
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRF7450TRPBF
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IRF7450PbF)
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Product Training Modules
1(High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers))
Featured Product
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1(Packing Material Update 16/Sep/2016)
Simulation Models
1(IRF7450 Spice Model)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : FDS2670
Fabricante : onsemi
Cantidad disponible : 2,359
Precio unitario : $1.79000
Tipo de reemplazo : Similar
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