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GermanyIRFR3412PBF
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRFR3412PBF
Explicación
MOSFET N-CH 100V 48A DPAK
Descripción detallada
N-Channel 100 V 48A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
75
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
48A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
89 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3430 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
140W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-252AA (DPAK)
Package / Case
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRFR3412PBF
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IRFR3412PbF, IRFU3412PbF)
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Design Resources
1(IRFR3412PBF Saber Model)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IRFR3412PbF, IRFU3412PbF)
Simulation Models
1(IRFR3412PBF Spice Model)
Cantidad y precio
-
Alternativas
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Modelo de producto : SUD35N10-26P-GE3
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Precio unitario : $2.09000
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