Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
FQI9N25CTU
Explicación
MOSFET N-CH 250V 8.8A I2PAK
Descripción detallada
N-Channel 250 V 8.8A (Tc) 3.13W (Ta), 74W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Fabricación
Fairchild Semiconductor
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
247
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
QFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
250 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
430mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
710 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.13W (Ta), 74W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-262 (I2PAK)
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

2156-FQI9N25CTU-FS
FAIFSCFQI9N25CTU

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor FQI9N25CTU

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(FQI9N25CTU)

Cantidad y precio

Cantidad: 247
Precio unitario: $1.22
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 247

Alternativas

-