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GermanySIE800DF-T1-GE3
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
SIE800DF-T1-GE3
Explicación
MOSFET N-CH 30V 50A 10POLARPAK
Descripción detallada
N-Channel 30 V 50A (Tc) 5.2W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (S)
Fabricación
Vishay Siliconix
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Vishay Siliconix
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.2mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1600 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
5.2W (Ta), 104W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
10-PolarPAK® (S)
Package / Case
10-PolarPAK® (S)
Base Product Number
SIE800
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SIE800DF-T1-GE3
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(SIE800DF)
PCN Obsolescence/ EOL
1(SIL-0632014 16/Apr/2014)
HTML Datasheet
1(SIE800DF)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : SI7658ADP-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Cantidad disponible : 3,486
Precio unitario : $2.81000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 3,486
Precio unitario : $2.81000
Tipo de reemplazo : Similar