Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
TSM052N06PQ56 RLG
Explicación
MOSFET N-CH 60V 100A 8PDFN
Descripción detallada
N-Channel 60 V 100A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
Fabricación
Taiwan Semiconductor Corporation
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
2,500
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Taiwan Semiconductor Corporation
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3686 pF @ 30 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
83W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
8-PDFN (5x6)
Package / Case
8-PowerTDFN

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

TSM052N06PQ56 RLGCT-ND
TSM052N06PQ56 RLGDKR
TSM052N06PQ56 RLGDKR-ND
TSM052N06PQ56RLGDKR
TSM052N06PQ56RLGCT
TSM052N06PQ56 RLGTR
TSM052N06PQ56 RLGTR-ND
TSM052N06PQ56RLGTR
TSM052N06PQ56 RLGCT

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Taiwan Semiconductor Corporation TSM052N06PQ56 RLG

Documentos y medios de comunicación

Environmental Information
()

Cantidad y precio

-

Alternativas

Modelo de producto : TSM045NB06CR RLG
Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $1.63000
Tipo de reemplazo : Similar
Modelo de producto : BSC031N06NS3GATMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 6,422
Precio unitario : $2.33000
Tipo de reemplazo : Similar