Última actualización
20250810
Idiomas
España
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Información de la industria
Consulta de inventario
FZ800R33KF2CB3S2NDSA1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
FZ800R33KF2CB3S2NDSA1
Explicación
IGBT MODULE 3300V 1A 9600W
Descripción detallada
IGBT Module Half Bridge 3300 V 1 A 9600 W Chassis Mount
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1
Inventario de proveedores
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Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
-
Package
Tray
Product Status
Obsolete
IGBT Type
-
Configuration
Half Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
3300 V
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Power - Max
9600 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
4.25V @ 15V, 800A
Current - Collector Cutoff (Max)
5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce
100 nF @ 25 V
Input
Standard
NTC Thermistor
No
Operating Temperature
-40°C ~ 125°C
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
Module
Supplier Device Package
-
Base Product Number
FZ800
Clasificaciones medioambientales y de exportación
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
SP000100624
448-FZ800R33KF2CB3S2NDSA1
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/IGBT Modules/Infineon Technologies FZ800R33KF2CB3S2NDSA1
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(FZ800R33KF2)
HTML Datasheet
1(FZ800R33KF2)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : FZ1000R33HE3BOSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $0.00000
Tipo de reemplazo : Similar
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