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GermanyIXFB210N30P3
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IXFB210N30P3
Explicación
MOSFET N-CH 300V 210A PLUS264
Descripción detallada
N-Channel 300 V 210A (Tc) 1890W (Tc) Through Hole PLUS264™
Fabricación
IXYS
Plazo de entrega estándar
43 Weeks
Modelo edacad
Embalaje estándar
25
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
IXYS
Series
HiPerFET™, Polar3™
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
300 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
210A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14.5mOhm @ 105A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
268 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
16200 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1890W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PLUS264™
Package / Case
TO-264-3, TO-264AA
Base Product Number
IXFB210
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
California Prop 65
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXFB210N30P3
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IXFB210N30P3)
Environmental Information
1(Ixys IC REACH)
Featured Product
1(200 V Ultra-Junction X3-Class HiPerFET™ Power MOSFETs)
HTML Datasheet
1(IXFB210N30P3)
Cantidad y precio
Cantidad: 100
Precio unitario: $23.7526
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 1
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 1
Cantidad: 10
Precio unitario: $27.157
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 1
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 1
Cantidad: 1
Precio unitario: $30.56
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 1
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 1
Alternativas
-