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GermanyIRF5850TRPBF
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRF5850TRPBF
Explicación
MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6TSOP
Descripción detallada
Mosfet Array 20V 2.2A 960mW Surface Mount 6-TSOP
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
3,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 P-Channel (Dual)
FET Feature
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
135mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
5.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
320pF @ 15V
Power - Max
960mW
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device Package
6-TSOP
Base Product Number
IRF58
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
2 (1 Year)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Otros nombres
SP001579062
IRF5850TRPBF-ND
IRF5850TRPBFCT
IRF5850TRPBFTR
IRF5850TRPBFDKR
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays/Infineon Technologies IRF5850TRPBF
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IRF5850PBF)
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Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IRF5850PBF)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : FDC6310P
Fabricante : onsemi
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