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GermanySTD155N3H6
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
STD155N3H6
Explicación
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
Descripción detallada
N-Channel 30 V 80A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount DPAK
Fabricación
STMicroelectronics
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
2,500
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
STMicroelectronics
Series
DeepGATE™, STripFET™ VI
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
62 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3650 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
110W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
DPAK
Package / Case
-
Base Product Number
STD15
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-497-11307-2
497-11307-6
-497-11307-1
497-11307-1
-497-11307-6
497-11307-2
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/STMicroelectronics STD155N3H6
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(ST(B,D)155N3H6)
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1(IRF630 View All Specifications)
Product Training Modules
()
HTML Datasheet
1(ST(B,D)155N3H6)
Cantidad y precio
-
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