English
China
Rusia
Italy
GermanyBSP324L6327
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
BSP324L6327
Explicación
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descripción detallada
N-Channel 400 V 170mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4-21
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1,039
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
SIPMOS®
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
400 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
170mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25Ohm @ 170mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 94µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
5.9 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
154 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.8W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-SOT223-4-21
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
INFINFBSP324L6327
2156-BSP324L6327
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies BSP324L6327
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(Datasheet)
Cantidad y precio
Cantidad: 1039
Precio unitario: $0.29
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 1039
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 1039
Alternativas
-