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GermanyNAND512R3A2SN6E
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
NAND512R3A2SN6E
Explicación
IC FLASH 512MBIT PAR 48TSOP I
Descripción detallada
FLASH - NAND Memory IC 512Mbit Parallel 50 ns 48-TSOP I
Fabricación
Micron Technology Inc.
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Micron Technology Inc.
Series
-
Package
Tray
Product Status
Obsolete
allaboutcomponents.com Programmable
Not Verified
Memory Type
Non-Volatile
Memory Format
FLASH
Technology
FLASH - NAND
Memory Size
512Mbit
Memory Organization
64M x 8
Memory Interface
Parallel
Write Cycle Time - Word, Page
50ns
Access Time
50 ns
Voltage - Supply
1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature
-40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Supplier Device Package
48-TSOP I
Base Product Number
NAND512
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
3A991B1A
HTSUS
8542.32.0071
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Integrated Circuits (ICs)/Memory/Memory/Micron Technology Inc. NAND512R3A2SN6E
Documentos y medios de comunicación
PCN Packaging
1(Standard Pkg Label Chg 20/Feb/2019)
HTML Datasheet
1(NAND512(R,W)(3,4)A2S)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-