Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
FQI32N12V2TU
Explicación
MOSFET N-CH 120V 32A I2PAK
Descripción detallada
N-Channel 120 V 32A (Tc) 3.75W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Fabricación
Fairchild Semiconductor
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
592
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
QFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
120 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1860 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.75W (Ta), 150W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-262 (I2PAK)
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

2156-FQI32N12V2TU-FS
FAIFSCFQI32N12V2TU

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor FQI32N12V2TU

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(FQI32N12V2TU)

Cantidad y precio

Cantidad: 592
Precio unitario: $0.51
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 592

Alternativas

-