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GermanyIPW60R299CPFKSA1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IPW60R299CPFKSA1
Explicación
MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3
Descripción detallada
N-Channel 600 V 11A (Tc) 96W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
240
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
299mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 440µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1100 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
96W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO247-3-1
Package / Case
TO-247-3
Base Product Number
IPW60R
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
IPW60R299CPXK
ROCINFIPW60R299CPFKSA1
SP000103251
IPW60R299CP
IPW60R299CP-ND
IPW60R299CPX
2156-IPW60R299CPFKSA1-IT
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPW60R299CPFKSA1
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IPW60R299CP)
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Cantidad y precio
-
Alternativas
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Fabricante : Vishay Siliconix
Cantidad disponible : 4,648
Precio unitario : $4.06000
Tipo de reemplazo : Direct
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Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $6.12000
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Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $3.67000
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Cantidad disponible : 547
Precio unitario : $6.63000
Tipo de reemplazo : Similar
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