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GermanyIPD50R380CEATMA1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IPD50R380CEATMA1
Explicación
MOSFET N-CH 500V 14.1A TO252-3
Descripción detallada
N-Channel 500 V 14.1A (Tc) 98W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
2,500
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™ CE
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
14.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 3.2A, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 260µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
24.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
584 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
98W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TO252-3
Package / Case
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Base Product Number
IPD50R
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
IPD50R380CEATMA1CT
SP001117698
IPD50R380CEATMA1DKR
IPD50R380CEATMA1-ND
IPD50R380CEATMA1TR
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPD50R380CEATMA1
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IPD50R380CE)
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Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IPD50R380CE)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : IPD50R380CEAUMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 22,557
Precio unitario : $1.08000
Tipo de reemplazo : Direct
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Fabricante : onsemi
Cantidad disponible : 2,485
Precio unitario : $2.34000
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Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $1.77000
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