English
China
Rusia
Italy
GermanyMRF586G
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
MRF586G
Explicación
RF TRANS NPN 17V 3GHZ TO39
Descripción detallada
RF Transistor NPN 17V 200mA 3GHz 1W Through Hole TO-39
Fabricación
Microsemi Corporation
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Microsemi Corporation
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
Transistor Type
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
17V
Frequency - Transition
3GHz
Noise Figure (dB Typ @ f)
-
Gain
13.5dB
Power - Max
1W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 50mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max)
200mA
Operating Temperature
-
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Supplier Device Package
TO-39
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
OBSOLETE
HTSUS
0000.00.0000
Otros nombres
150-MRF586G
MRF586G-ND
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Bipolar RF Transistors/Microsemi Corporation MRF586G
Documentos y medios de comunicación
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Devices 10/Aug/2017)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-