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GermanyIRFH5302TR2PBF
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRFH5302TR2PBF
Explicación
MOSFET N-CH 30V 32A 5X6 PQFN
Descripción detallada
N-Channel 30 V 32A (Ta), 100A (Tc) Surface Mount PQFN (5x6) Single Die
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
400
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
-
Package
Cut Tape (CT)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.1mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4400 pF @ 15 V
FET Feature
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PQFN (5x6) Single Die
Package / Case
8-PowerVDFN
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
SP001554780
IRFH5302TR2PBFTR
IRFH5302TR2PBFDKR
IRFH5302TR2PBFCT
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRFH5302TR2PBF
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IRFH5302PBF)
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Cantidad y precio
-
Alternativas
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Precio unitario : $1.21837
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