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GermanyIXTA6N100D2HV
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IXTA6N100D2HV
Explicación
MOSFET N-CH 1000V 6A TO263HV
Descripción detallada
N-Channel 1000 V 6A (Tj) 300W (Tc) Surface Mount TO-263HV
Fabricación
IXYS
Plazo de entrega estándar
52 Weeks
Modelo edacad
Embalaje estándar
50
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
IXYS
Series
Depletion
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1000 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6A (Tj)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.2Ohm @ 3A, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
95 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2650 pF @ 10 V
FET Feature
Depletion Mode
Power Dissipation (Max)
300W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-263HV
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Product Number
IXTA6
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXTA6N100D2HV
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IXTA6N100D2HV)
Environmental Information
1(Ixys IC REACH)
Cantidad y precio
Cantidad: 300
Precio unitario: $11.07623
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 300
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 300
Alternativas
-