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GermanyIPW50R190CEFKSA1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IPW50R190CEFKSA1
Explicación
MOSFET N-CH 500V 18.5A TO247-3
Descripción detallada
N-Channel 500 V 18.5A (Tc) 127W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
240
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
18.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 6.2A, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 510µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
47.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1137 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
127W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO247-3-1
Package / Case
TO-247-3
Base Product Number
IPW50R
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
SP000850798
2156-IPW50R190CEFKSA1-IT
IPW50R190CE
IPW50R190CE-ND
INFINFIPW50R190CEFKSA1
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPW50R190CEFKSA1
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
()
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Simulation Models
1(CoolMOS™ Power MOSFET 500V C3 Spice Model)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : SPW20N60C3FKSA1
Fabricante : Infineon Technologies
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Precio unitario : $6.44000
Tipo de reemplazo : Direct
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Modelo de producto : SIHG25N50E-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
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