English
China
Rusia
Italy
GermanyBFY193PZZZA1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
BFY193PZZZA1
Explicación
RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ MICRO X1
Descripción detallada
RF Transistor NPN 12V 80mA 7.5GHz 580mW Surface Mount MICRO-X1
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
-
Package
Box
Product Status
Obsolete
Transistor Type
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
12V
Frequency - Transition
7.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f)
2.3dB ~ 2.9dB @ 2GHz
Gain
12.5dB ~ 13.5dB
Power - Max
580mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 30mA, 8V
Current - Collector (Ic) (Max)
80mA
Operating Temperature
200°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
MICRO-X1
Supplier Device Package
MICRO-X1
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Otros nombres
BFY193 (P)-ND
BFY193 (P)
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Bipolar RF Transistors/Infineon Technologies BFY193PZZZA1
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(BFY193)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
HTML Datasheet
1(BFY193)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-