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GermanyAPT97N65LC6
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
APT97N65LC6
Explicación
MOSFET N-CH 650V 97A TO264
Descripción detallada
N-Channel 650 V 97A (Tc) 862W (Tc) Through Hole TO-264 [L]
Fabricación
Microsemi Corporation
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
25
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Microsemi Corporation
Series
CoolMOS™
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
97A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
41mOhm @ 48.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 2.96mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
300 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
7650 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
862W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-264 [L]
Package / Case
TO-264-3, TO-264AA
Base Product Number
APT97N65
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
150-APT97N65LC6
APT97N65LC6-ND
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Microsemi Corporation APT97N65LC6
Documentos y medios de comunicación
Environmental Information
()
Cantidad y precio
-
Alternativas
-