HAT1126RWS-E

Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante

HAT1126RWS-E

Explicación

MOSFET 2P-CH 60V 6A 8SOP

Descripción detallada

Mosfet Array 60V 6A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-SOP

Fabricación

Renesas Electronics Corporation

Plazo de entrega estándar

Modelo edacad

Embalaje estándar

Inventario de proveedores

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Atributos del producto

Mfr

Renesas Electronics Corporation

Series

-

Package

Tape & Reel (TR)

Product Status

Obsolete

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Configuration

2 P-Channel (Dual)

FET Feature

Logic Level Gate, 4.5V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C

6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

37nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2300pF @ 10V

Power - Max

3W (Ta)

Operating Temperature

150°C

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Supplier Device Package

8-SOP

Base Product Number

HAT1126

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Otros nombres

-

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays/Renesas Electronics Corporation HAT1126RWS-E

Documentos y medios de comunicación

PCN Obsolescence/ EOL

1(Mult Dev EOL 15/Dec/2018)

PCN Packaging

1(Label Change-All Devices 01/Dec/2022)

Cantidad y precio

-

Alternativas

-

RN732BTTD6983F25 FTS-140-02-L-D-SA-P SQM500JB-130K 1812D390J302KHT ASPI-8030LR-220M-T

HAT1126RWS-E

Resumen del número de pieza

Atributos del producto

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Otros nombres

Categoría

Documentos y medios de comunicación

Cantidad y precio

Alternativas

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