Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
FDD1600N10ALZD
Explicación
MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252-4L
Descripción detallada
N-Channel 100 V 6.8A (Tc) 14.9W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Fabricación
onsemi
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
2,500
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
onsemi
Series
PowerTrench®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
160mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
3.61 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
225 pF @ 50 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
14.9W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-252 (DPAK)
Package / Case
TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab), TO-252AD
Base Product Number
FDD160

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

FDD1600N10ALZD-ND
FDD1600N10ALZDCT
FDD1600N10ALZDDKR
FDD1600N10ALZDTR

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi FDD1600N10ALZD

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(FDD1600N10ALZD)
Video File
1(Brushless DC Motor Control | Datasheet Preview)
Environmental Information
()
Featured Product
1(ON Semiconductor - 30 V to 60 V Trench6 N-Channel MOSFET)
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Devices 31/Jan/2019)
PCN Design/Specification
()
PCN Assembly/Origin
1(Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014)
PCN Packaging
1(Mult Devices 24/Oct/2017)

Cantidad y precio

-

Alternativas

Modelo de producto : FDD1600N10ALZ
Fabricante : onsemi
Cantidad disponible : 6,934
Precio unitario : $0.98000
Tipo de reemplazo : Similar