Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
HUFA76619D3
Explicación
MOSFET N-CH 100V 18A IPAK
Descripción detallada
N-Channel 100 V 18A (Tc) 75W (Tc) Through Hole I-PAK
Fabricación
onsemi
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
onsemi
Series
UltraFET™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
85mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
767 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
75W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
I-PAK
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Base Product Number
HUFA76

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

-

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi HUFA76619D3

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(HUFA76619D3/D3S)
Environmental Information
1(onsemi RoHS)
HTML Datasheet
1(HUFA76619D3/D3S)

Cantidad y precio

-

Alternativas

Modelo de producto : IRFU3910PBF
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 5,019
Precio unitario : $1.03000
Tipo de reemplazo : Similar
Modelo de producto : IRLU024NPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 6,202
Precio unitario : $0.85000
Tipo de reemplazo : Similar