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GermanyIPA50R650CE
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IPA50R650CE
Explicación
MOSFET N-CH 500V 6.1A TO220-FP
Descripción detallada
N-Channel 500 V 6.1A (Tc) 27.2W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
50
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
650mOhm @ 1.8A, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
342 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
27.2W (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO220-FP
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Base Product Number
IPA50R
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
IPA50R650CEXKSA1
SP000992086
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPA50R650CE
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
()
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()
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : STF10N60M2
Fabricante : STMicroelectronics
Cantidad disponible : 2,606
Precio unitario : $1.51000
Tipo de reemplazo : Similar
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