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GermanyBC857BWE6327
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
BC857BWE6327
Explicación
BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR
Descripción detallada
Bipolar (BJT) Transistor PNP 45 V 100 mA 250MHz 250 mW Surface Mount PG-SOT323
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
3,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
PNP
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
220 @ 2mA, 5V
Power - Max
250 mW
Frequency - Transition
250MHz
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
SC-70, SOT-323
Supplier Device Package
PG-SOT323
Base Product Number
BC857
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Otros nombres
2156-BC857BWE6327
INFINFBC857BWE6327
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/Infineon Technologies BC857BWE6327
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(BC858BWH6327XTSA1)
Cantidad y precio
Cantidad: 15000
Precio unitario: $0.02
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 15000
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 15000
Alternativas
-