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GermanyIRFB4710PBF
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRFB4710PBF
Explicación
MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB
Descripción detallada
N-Channel 100 V 75A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
50
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6160 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.8W (Ta), 200W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
IRFB4710
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
SP001556118
*IRFB4710PBF
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRFB4710PBF
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IRFB4710PbF, IRFS(L)4710PbF)
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HTML Datasheet
1(IRFB4710PbF, IRFS(L)4710PbF)
Simulation Models
1(IRFB4710PBF Saber Model)
Cantidad y precio
-
Alternativas
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Fabricante : Infineon Technologies
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Modelo de producto : CSD19534KCS
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Modelo de producto : HUF75545P3
Fabricante : onsemi
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Modelo de producto : PSMN009-100P,127
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Modelo de producto : PSMN013-100PS,127
Fabricante : Nexperia USA Inc.
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Modelo de producto : PSMN015-100P,127
Fabricante : Nexperia USA Inc.
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Modelo de producto : PSMN9R5-100PS,127
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Cantidad disponible : 18,341
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Cantidad disponible : 478
Precio unitario : $3.49000
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