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GermanyIPD038N04NGBTMA1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IPD038N04NGBTMA1
Explicación
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Descripción detallada
N-Channel 40 V 90A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
2,500
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.8mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 45µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4500 pF @ 20 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
94W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TO252-3
Base Product Number
IPD038N
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
IPD038N04NGBTMA1DKR
IPD038N04N GCT-ND
IPD038N04N GDKR
IPD038N04N GDKR-ND
IPD038N04NGBTMA1TR
IPD038N04N GCT
SP000391507
IPD038N04N G-ND
IPD038N04NGBTMA1CT
IPD038N04NG
IPD038N04N G
IPD038N04N GTR-ND
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPD038N04NGBTMA1
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IPD038N04N G)
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Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IPD038N04N G)
Cantidad y precio
-
Alternativas
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